图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DS91D176, DS91C176 |
| 文档 |
SOIC Pkg Wire Bonding 20/Mar/2013 |
| 包装 | 8SOIC N |
| 传输速率 | 200 Mbps |
| 最大传播延迟时间 | 7.5 ns |
| 差分输入低阈值电压 | 0.05 V |
| 差分输入高阈值电压 | 0.15 V |
| 典型工作电源电压 | 3.3 V |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| Maximum Differential Output Voltage | 0.65 |
| 安装 | Surface Mount |
| 差分输入低阈值电压 | 0.05 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| PCB | 8 |
| 筛选等级 | Industrial |
| 最大功率耗散 | 833 |
| 功能 | Transceiver |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 传输速率 | 200 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 典型工作电源电压 | 3.3 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 接收器数 | 1 |
| 输入信号类型 | LVCMOS|LVTTL|MLVDS |
| 差分输入高阈值电压 | 0.15 |
| 引脚数 | 8 |
| 最大传播延迟时间 | 7.5 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 驱动器数 | 1 |
| 封装 | Rail |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 协议 | LVDS |
| 安装类型 | * |
| 复式 | Half |
| 的驱动器/接收器数 | 1/1 |
| 供应商设备封装 | * |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据传输速率 | 200Mbps |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 类型 | Transceiver |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 系列 | DS91C176 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RoHS | No |
| Status | NRND |
| Replaced By | DS91C176TMA/NOPB |
| Temp (oC) | -40 to 85 |
| Package | Pins | SOIC (D) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 95 | TUBE |
| Functional Diagram | |
| Output Signal | LVTTL M-LVDS |
| No of Tx | 1 |
| HiRel | |
| 输入信号 | LVTTL M-LVDS |
| No of Rx | 1 |
| Package Group | SOIC |
| Signaling Rate | 200 |
| Reference Design | |
| 工作温度范围 | -40 to 85 |
| ICC | 29.5 |
| Datasheet | SNLS146L |
| Rating | Catalog |
| TI Design | |
| ESD HBM | 8 |
| 工作电源电流 | 29.5 mA |
| Development Kit | DS91C176EVK/NOPB |
| 最大输出电压 | 650 mV |
| 输入类型 | LVCMOS, LVTTL, MLVDS |
| 工作电源电压 | 3.3 V |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 输出类型 | LVTTL, M-LVDS |
| 传播延迟时间 | 7.5 ns |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最大输入电压 | 150 mV |
| 长度 | 4.9 mm |
| 电源电压 - 最大 | 3.6 V |
| 电源电压 - 最小 | 3 V |
| 输入电压最小 | 50 mV |
| 身高 | 1.45 mm |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 833 mW |
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